CENTRALSEMI低 VCE（SAT）晶體管CMLT3820G TR

節省空間的SOT-563表面貼裝封裝，這種封裝形式使得CMLT3820G非常適合于尺寸受限的應用場(chǎng)景?；パaPNP器件（CMLT7820G），這為用戶(hù)提供了在選擇和使用上的靈活性。

• 無(wú)鹵素設計：CMLT3820G采用無(wú)鹵素設計，這有助于減少對環(huán)境的影響，符合現代電子產(chǎn)品對環(huán)保和可持續發(fā)展的要求。
• 大電流能力：該晶體管在IC=1.0A的條件下仍能正常工作，顯示出其強大的電流處理能力。這使得CMLT3820G在需要處理大電流的電路中具有顯著(zhù)優(yōu)勢。
• 低VCE（SAT）：VCE（SAT）=0.28V max.@IC=1.0A，這是CMLT3820G的一個(gè)顯著(zhù)特點(diǎn)。低VCE（SAT）意味著(zhù)在晶體管飽和時(shí)，集電極和發(fā)射極之間的電壓降較小，從而減少了功耗和熱量產(chǎn)生。這有助于提高電路的整體效率和穩定性。

產(chǎn)地：美國

集電極基極電壓：80 V

集電極-發(fā)射極電壓：60 V

發(fā)射極基極電壓：5.0 V

連續集電極電流：1.0 A

峰值集電極電流：2.0 A

連續基極電流：300mA

功耗：250 mW

工作溫度：-65至+150°C

存儲接面溫度：-65至+150°C

熱阻：500°C/W

DC/DC轉換器

電壓鉗位

保護電路

電池供電的手機、尋呼機、數碼相機、PDA、筆記本電腦等