ROHM面向高耐壓GaN器件驅動(dòng)的隔離型柵極驅動(dòng)器IC

ROHM推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動(dòng)的隔離型柵極驅動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中實(shí)現更穩定的驅動(dòng)，有助于電機和服務(wù)器電源等大電流應用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。

新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅動(dòng)器IC。在電壓反復急劇升降的開(kāi)關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號的安全傳輸。

通過(guò)采用ROHM自主開(kāi)發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實(shí)現高達2MHz的高頻驅動(dòng)。通過(guò)充分發(fā)揮GaN器件的高速開(kāi)關(guān)特性，不僅有助于應用產(chǎn)品更加節能和實(shí)現更高性能，還可通過(guò)助力外圍元器件的小型化來(lái)削減安裝面積。

另外，隔離型柵極驅動(dòng)器IC的抗擾度指標——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）*1達到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開(kāi)關(guān)時(shí)令人困擾的高轉換速率引發(fā)的誤動(dòng)作，從而有助于系統實(shí)現穩定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導通時(shí)間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。

GaN器件的柵極驅動(dòng)電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN™系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機功耗。

應用示例

工業(yè)設備：光伏逆變器、ESS（儲能系統）、通信基站、服務(wù)器、工業(yè)電機等的電源

消費電子：白色家電、AC適配器（USB充電器）、電腦、電視、冰箱、空調