CENTRALSEMI通孔晶體管CDMSJ22013.8 650

CENTRAL SEMICONDUCTOR CDMSJ22013.8-650 是一款高電流、650 伏 N-通道功率 MOSFET，專(zhuān)為功率因數校正 (PFC) 和電源充電器等高電壓、快速開(kāi)關(guān)應用而設計。這款 MOSFET 將高電壓能力與低 rDS。

• 高電壓能力 (VDS=650V)：該MOSFET能夠承受高達650伏的漏源電壓（VDS），適用于高電壓環(huán)境。
• 低柵極電荷 (Qgs=6nC)：rDS（ON）表示漏源導通電阻，低rDS（ON）意味著(zhù)在導通狀態(tài)下，MOSFET的電阻較小，能夠減少功耗，提高工作效率。
• 低 rDS(ON) (0.28Ω)：閾值電壓是MOSFET開(kāi)始導通所需的柵源電壓。低閾值電壓使得MOSFET在較低的柵源電壓下即可開(kāi)始導通，有助于降低功耗并提高響應速度。

產(chǎn)地：美國

漏極-源極電壓：650 V

柵極-源極電壓：30 V

連續漏極電流：13.8 A

連續漏極電流（TC=100°C）：8.7 A

脈沖漏極電流：41.4 A

正向二極管電流：13.8 A

功率耗散：35.7 W

功率耗散（TC=100°C）：14.3 W

工作溫度：-55 至 +150 °C

存儲接面溫度：-55 至 +150 °C

功率因數校正

電視電源

不間斷電源

PD 充電器

適配器